能源產(chǎn)品及廠家

鶴壁博達(dá)負(fù)壓氣閥式放水器從未停止追求質(zhì)量
針對(duì)目國(guó)內(nèi)負(fù)壓放水器存在的問題，為有效解決影響放水器排水的“頑癥”，我廠堅(jiān)持自主研制，推陳出新，充分應(yīng)用浮力、磁力、流體力學(xué)原理，研制出氣閥式負(fù)壓自動(dòng)放水器。相對(duì)其它負(fù)壓自動(dòng)放水器。
更新時(shí)間:2024-12-23
老廠家多孔負(fù)壓自動(dòng)排渣放水器周到服務(wù)買的省心
dkf型老廠家多孔負(fù)壓自動(dòng)排渣放水器周到服務(wù)買的省心，該款產(chǎn)品連接簡(jiǎn)單，負(fù)壓口兼容負(fù)壓平衡口，具備自動(dòng)放水閥和手動(dòng)放水閥。
更新時(shí)間:2024-12-23
鶴壁博達(dá)臥式負(fù)壓排渣放水器個(gè)個(gè)有保障
具體使用方式參見“負(fù)壓自動(dòng)排渣放水器安裝方式圖，該裝置的外形結(jié)構(gòu)分為立式，臥式二種”。
更新時(shí)間:2024-12-23
鶴壁博達(dá)氣水分離器的安裝以及使用方法
由于氣體和液體的密度不同，液體在氣體一起流動(dòng)時(shí)，如果必須通過絲網(wǎng)，就象過篩一樣，氣體通過了，而液體被攔截而留在絲網(wǎng)上，同時(shí)受到重力的作用，氣體仍然朝著原來的方向流動(dòng)，液體正壓自動(dòng)放水器流至分離器底部，也就是說液體與氣體在重力場(chǎng)中有分離的傾向，向下的液體附著在壁面上匯集在一起通過排放管排出。
更新時(shí)間:2024-12-23
鶴壁博達(dá)臥式負(fù)壓排渣放水器從未停止追求質(zhì)量
負(fù)壓自動(dòng)排渣放水器是煤礦瓦斯抽放系統(tǒng)不可缺少的自動(dòng)放水裝置，負(fù)壓自動(dòng)排渣放水器適用于瓦斯抽放和利用系統(tǒng)的主管、干管、支管的自動(dòng)放水。
更新時(shí)間:2024-12-23
鶴壁博達(dá)瓦斯管路手動(dòng)放水器個(gè)個(gè)有保障
負(fù)壓手動(dòng)放水器的安裝方法1.本產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)安裝在管路的低洼處。2. 進(jìn)水管路安裝，采用2吋的耐壓黑布膠管與手動(dòng)放水器的進(jìn)水閥（1.5吋馬牙扣管）連接。3. 耐壓黑布膠管另一端與瓦斯抽放管路底部焊接的1.5吋馬牙扣管連接。
更新時(shí)間:2024-12-23
鶴壁博達(dá)聚氨酯封孔劑個(gè)個(gè)有保障
1、加固破碎的煤（巖）頂板，超加固掘進(jìn)及回采工作面頂板，防止冒頂，保障職工生命，提高生產(chǎn)進(jìn)度。 2、加固沿空掘巷煤柱及破碎煤柱，減少煤柱及采空區(qū)漏風(fēng)，防止采空區(qū)自然發(fā)火。 3、封堵井筒水流，減少或杜絕井壁淋水或漏水，保證井筒設(shè)備長(zhǎng)期使用。 4、密封瓦斯抽放鉆孔，封堵鉆孔周圍的裂縫，提高礦井瓦斯抽放效果。
更新時(shí)間:2024-12-23
鶴壁博達(dá)高負(fù)壓瓦斯采取器從未停止追求質(zhì)量
本采取器有進(jìn)氣接頭、出氣接頭、膠塞閥、拉桿、活塞、氣筒及密封圈等部件組成。
更新時(shí)間:2024-12-23
HMDS真空烤箱，全自動(dòng)HMDS預(yù)處理系統(tǒng)
hmds真空烤箱，全自動(dòng)hmds預(yù)處理系統(tǒng)通過對(duì)烤箱預(yù)處理過程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層hmds，降低了hmds處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
更新時(shí)間:2024-12-20
HMDS烤箱機(jī)臺(tái)，HMDS預(yù)處理烘箱
hmds烤箱機(jī)臺(tái)，hmds預(yù)處理烘箱箱體外殼采用高級(jí)不銹鋼制作，內(nèi)膽為316l醫(yī)用專用不銹鋼材料制成；加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周，內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、防彈雙層玻璃門觀察工作室內(nèi)物體一目了然。
更新時(shí)間:2024-12-20
硅片光刻預(yù)處理系統(tǒng)，芯片hmds烘箱
硅片光刻預(yù)處理系統(tǒng)，芯片hmds烘箱用于芯片、晶圓、硅片等半導(dǎo)體在光刻前對(duì)wafer進(jìn)行預(yù)處理,在高溫高真空的狀態(tài)下均勻噴灑霧狀“oap”藥液并在氮?dú)獗Ｗo(hù)下烘干以增強(qiáng)wafer的光刻性能。通過對(duì)烤箱預(yù)處理過程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層hmds，降低了hmds處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
更新時(shí)間:2024-12-20

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