光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個(gè)通道，出廠默認(rèn)）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，工廠標(biāo)配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30a ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個(gè)通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-12-20
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2024-12-20
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對(duì)玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2024-12-20
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對(duì)準(zhǔn)精度,旨在大大超過(guò)任何紅外背后對(duì)準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2024-12-20
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫(xiě)機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫(xiě)工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2024-12-20
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹(shù)脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2024-12-20
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2024-12-20
nanoarch 3d打印機(jī)p140/s140 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2024-12-20
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過(guò)高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測(cè)試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)：nte-4000 獨(dú)立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺(tái)式熱蒸鍍系統(tǒng)，nte-1000 簡(jiǎn)便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統(tǒng)可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統(tǒng)組成雙系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master磁控濺射系統(tǒng)：nsc-4000獨(dú)立式磁控濺射系統(tǒng)，可支持共濺射等能力的擴(kuò)展nsc-3500緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質(zhì)材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應(yīng)用。nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺(tái)式濺射系統(tǒng)，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規(guī)的金屬濺射
更新時(shí)間:2024-12-20
nano-master的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd系統(tǒng)npe-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。基板可以容納8英寸晶圓，可通過(guò)射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過(guò)熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時(shí)間:2024-12-20
nano-master電子束蒸鍍系統(tǒng) nee-4000，可通過(guò)樣片掩膜實(shí)現(xiàn)組合蒸鍍，并可通過(guò)電腦控制單個(gè)電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統(tǒng)可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動(dòng)上下片，以及手動(dòng)或自動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣片實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統(tǒng)，也可以跟磁控濺射
更新時(shí)間:2024-12-20
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統(tǒng)：nie-4000 獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nie-3500 緊湊型獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2024-12-20
nano-master等離子清洗和灰化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統(tǒng)通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨(dú)一無(wú)二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3500 緊湊型獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3000 臺(tái)式ald系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)nrr-4000 獨(dú)立式雙rie或icp刻蝕系統(tǒng)nre-4000 獨(dú)立式rie或icp系統(tǒng)nre-3000 臺(tái)式rie系統(tǒng)ndr-4000 深硅刻蝕系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測(cè)試系統(tǒng)，俗稱“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺(tái)式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機(jī)械手自動(dòng)清洗nrt-4000 獨(dú)
更新時(shí)間:2024-12-20
美nano-master 大基片清洗機(jī) large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨(dú)立式清洗機(jī)，使用計(jì)算機(jī)控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時(shí)間:2024-12-20
韓國(guó)ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測(cè)量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導(dǎo)體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時(shí)間:2024-12-20
英國(guó)quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機(jī)，是一款優(yōu)化設(shè)計(jì)的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設(shè)備，真空度可達(dá)5x10-5mbar？梢詾R射具有超細(xì)成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無(wú)定形碳膜。
更新時(shí)間:2024-12-20
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機(jī)用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)用光刻機(jī)，目得到業(yè)界的廣泛認(rèn)同，該系列光刻機(jī)曝光系統(tǒng)的曝光燈，主要是由德國(guó)歐司朗及日本牛尾公司生產(chǎn)的曝光燈進(jìn)行配套供應(yīng)。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩(wěn)定的光強(qiáng)度以及優(yōu)質(zhì)的品質(zhì)受到業(yè)界的青睞。
更新時(shí)間:2024-12-20
adlema先進(jìn)的檢漏機(jī)bt4000技 術(shù) 規(guī) 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時(shí)間:2024-12-20
美國(guó)kla insem ht原位高溫納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，納米壓痕儀，樣品加溫可達(dá)800 ℃，樣品尺寸可達(dá)10mm，裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/34al型光刻機(jī)，曝光分辨率： 0.8μm-1μm ，套準(zhǔn)精度：±0.8-1μm
更新時(shí)間:2024-12-20
德國(guó)iplas mpcvd cyrannus® 利技術(shù)微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于第四代半導(dǎo)體，射頻器件，散熱器件，光學(xué)窗口等高科技令域，晶圓生長(zhǎng)金剛石膜，被譽(yù)為半導(dǎo)體終材料。
更新時(shí)間:2024-12-20
德國(guó)sentech光伏測(cè)量?jī)xmdpmap，靈活的自動(dòng)掃描系統(tǒng)，是專(zhuān)為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過(guò)的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測(cè)量而設(shè)計(jì)的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測(cè)量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動(dòng)力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測(cè)量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時(shí)間:2024-12-20
100s接觸角測(cè)量?jī)x是采用光學(xué)成像的原理，通過(guò)圖像輪廓分析方式測(cè)量樣品表面接觸角、潤(rùn)濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價(jià)比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測(cè)量需要。
更新時(shí)間:2024-12-20
德國(guó)kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測(cè)量?jī)x，接觸角測(cè)量范圍：0-180，接觸角測(cè)量精度：±0.10，表界面張力測(cè)量范圍：0-1000mn/m；測(cè)量精度：0.01 mn/m
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào)：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī)，對(duì)準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對(duì)準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時(shí)間:2024-12-20
ds-2000/14k 無(wú)掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2024-12-20
ds-2000/14g 型無(wú)掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動(dòng)）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非？煽，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非？煽，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長(zhǎng)）
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺(tái)式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2024-12-20
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2024-12-20
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