濕法腐蝕/刻蝕設(shè)備產(chǎn)品及廠家

德國 Sentech 多晶圓等離子刻蝕機(jī)
icp-rie plasma etcher - si 500-300 multiwafer si 500-300多晶圓等離子刻蝕機(jī)300 mm / 400 mm 載板，用于多片晶圓
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech 等離子刻蝕機(jī)
德國sentech 等離子刻蝕機(jī) si 500 rie，rie 蝕刻機(jī)，最大 8 英寸晶圓, 帶可選的 icp 源擴(kuò)展
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech 低溫等離子蝕刻機(jī)
德國sentech 低溫等離子蝕刻機(jī) si 500 c，最大 8 英寸晶圓，-150°c...+150°c
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
德國sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī) etchlab 200，最大 8 英寸晶圓，硅及相關(guān)材料的蝕刻
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech 多晶圓等離子體反應(yīng)刻蝕機(jī)
德國sentech 多晶圓等離子體反應(yīng)刻蝕機(jī) etchlab 380，最大 300 mm 晶圓，用于多個(gè)晶圓的 380 mm 載體
更新時(shí)間:2024-12-20
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
德國 sentech 等離子刻蝕機(jī) si 591， 所有材料的蝕刻，金屬濺射，亞微米蝕刻
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech PECVD沉積設(shè)備
德國sentech pecvd沉積設(shè)備 depolab 200， 最大 8 英寸晶圓，高達(dá) 400°c 的基板溫度，低頻混合，300-500 khz 可選
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech PECVD沉積設(shè)備
德國sentech pecvd沉積設(shè)備 si 500 ppd,最大 8 英寸晶圓, 高達(dá) 350°c 的基板溫度, 低頻混合，300-500 khz可選
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech PECVD沉積設(shè)備
德國sentech pecvd沉積設(shè)備 si 500 d，最大 8 英寸晶圓，rt....300/400°c 基板溫度
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech 原子層沉積設(shè)備
德國sentech 原子層沉積設(shè)備 si adl ll/ si peald ll,在 8 英寸晶圓和玻璃基板上實(shí)現(xiàn)高度均勻的薄膜厚度, 在具有高縱橫比的模型上進(jìn)行 3d保形沉積, 400/500°c 基板溫度, 最大 8 英寸晶圓.
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech 原子層沉積設(shè)備
德國sentech 原子層沉積設(shè)備 si adl ll/ si peald ll,在 8 英寸晶圓和玻璃基板上實(shí)現(xiàn)高度均勻的薄膜厚度, 在具有高縱橫比的模型上進(jìn)行 3d保形沉積, 400/500°c 基板溫度, 最大 8 英寸晶圓.
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech多腔體沉積鍍膜刻蝕設(shè)備
德國sentech多腔體沉積鍍膜刻蝕設(shè)備,集群配置,所有等離子工具都可以排列在一個(gè)集群工具中。提供用于研發(fā)和高吞吐量生產(chǎn)的集群。通過單個(gè)晶圓裝載鎖和/或晶圓盒站裝載晶圓。
更新時(shí)間:2024-12-20
德國Sentech激光干涉儀
德國sentech激光干涉儀 sli 670，670 nm 波長，光斑尺寸 100 μm，電動載物臺，反射率和干涉模式
更新時(shí)間:2024-12-20
深硅刻蝕機(jī)
pse v300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具bosch/non-bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝域覆蓋。該機(jī)臺針對bosch循環(huán)工藝方式采用業(yè)先進(jìn)的快速響應(yīng)硬件配置及軟件流程控制，結(jié)合先進(jìn)的工藝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。
更新時(shí)間:2024-09-04
PD-270STLC 等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。
更新時(shí)間:2024-08-15
RIE-10NR 等離子刻蝕設(shè)備
rie-10nr是一種新型的低成本、高性能的全自動rie等離子刻蝕設(shè)備，它能滿足非腐蝕性氣體化學(xué)苛刻的工藝要求。計(jì)算機(jī)化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個(gè)用戶友好的界面。
更新時(shí)間:2024-08-15
RIE-230iP 等離子體刻蝕設(shè)備
rie-230ip是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型icp蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進(jìn)行高精度的各向異性蝕刻。
更新時(shí)間:2024-08-15
RIE-400iP 等離子體刻蝕設(shè)備
rie-400ip是用于ø4 “晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（icp）刻蝕設(shè)備可對各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風(fēng)線圈的電感耦合等離子體(inductively coupled plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。
更新時(shí)間:2024-08-15
RIE-802BCT 深硅刻蝕設(shè)備
rie-802bct深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對準(zhǔn)器。該高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時(shí)保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。
更新時(shí)間:2024-08-15
單晶圓刻蝕系統(tǒng)
憑借在蝕刻gan，sic和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，我們的技術(shù)既能夠滿足性價(jià)比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。plasmapro 100 polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為精細(xì)的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競爭優(yōu)勢。
更新時(shí)間:2024-08-14
單片濕法刻蝕機(jī)
滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于sio2，sin，polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。
更新時(shí)間:2024-08-14
RIE-200C RIE等離子刻蝕設(shè)備
rie-200c是在擁有豐富交貨業(yè)績的ccp rie系統(tǒng) “rie-10nr “的基礎(chǔ)上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對si、poly-si、sio₂、sin等各種硅薄膜進(jìn)行高精度蝕刻和灰化。采用雙盒雙臂機(jī)械手，plc控制全自動操作，高性能存儲工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2024-08-14
RIE-800iP 等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-08-14
反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
plasmapro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時(shí)間:2024-08-14
等離子刻蝕集群系統(tǒng)
sentech 集群系統(tǒng)包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個(gè)轉(zhuǎn)移室和一個(gè)真空負(fù)載鎖或盒式站。包括搬運(yùn)機(jī)器人在內(nèi)的轉(zhuǎn)移室有三到六個(gè)端口。多可以使用兩個(gè)盒式磁帶站來提高吞吐量。
更新時(shí)間:2024-08-14
反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
plasmapro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（rie）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產(chǎn)別的批量以及300mm晶圓的工藝。
更新時(shí)間:2024-08-14
RIE-1C 緊湊型刻蝕設(shè)備
rie-1c是用于半導(dǎo)體芯片故障分析的小型臺式干式蝕刻系統(tǒng)。可以高效、低損傷地去除鈍化膜。它操作簡單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個(gè)過程？梢苑旁谧烂嫔，也可以選擇用支架。
更新時(shí)間:2024-08-14
RIE-300NR RIE等離子刻蝕設(shè)備
rie-300nr是一種理想的rie等離子刻蝕設(shè)備，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3“×12，ø4“×8等），具有優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)旨在大限度地減少工廠空間需求，提高產(chǎn)量，大限度地延長正常運(yùn)行時(shí)間，并通過可靠的硬件和便捷的服務(wù)降低擁有成本。
更新時(shí)間:2024-08-14
高密度等離子刻蝕裝置
高密度等離子刻蝕裝置ulhitetm ne-7800h高密度等離子客戶裝置ulhite ne-7800h是對應(yīng)刻蝕feram、mram、reram、pcram等器件所用的高難度刻蝕材料（強(qiáng)電介質(zhì)層、貴金屬、磁性膜等）的multi-chamber型低壓高密度等離子刻蝕設(shè)備。
更新時(shí)間:2024-06-27
研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備
研究開發(fā)向nld干法刻蝕設(shè)備nld-570研究開發(fā)向nld干法刻蝕設(shè)備nld-570，是搭載了愛發(fā)科磁性中性線（nld- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此nld技術(shù)可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。
更新時(shí)間:2024-06-27
干法刻蝕設(shè)備
干法刻蝕設(shè)備 apios ne-950ex對應(yīng)led量產(chǎn)用的干法刻蝕設(shè)備｢ne-950ex｣相對我司以往設(shè)備實(shí)現(xiàn)了140%的生產(chǎn)力。是搭載了icp高密度等離子源和愛發(fā)科自有的星型電的干法刻蝕設(shè)備。
更新時(shí)間:2024-06-27
深硅刻蝕設(shè)備
rie-802bct是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對準(zhǔn)器。該高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時(shí)保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。
更新時(shí)間:2024-06-25
深硅刻蝕設(shè)備
rie-800bct是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅drie系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時(shí)保持高蝕刻率和選擇性。
更新時(shí)間:2024-06-25
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
rie-400ip是用于ø4 "晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，可對各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用獨(dú)特的龍卷風(fēng)線圈的電感耦合等離子體(inductively coupled plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。另外，可以根據(jù)加工材料和加工內(nèi)容選擇合適的等離子體源。
更新時(shí)間:2024-06-25
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
rie-230ipc是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的盒式icp蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用獨(dú)特的龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實(shí)現(xiàn)了對硅、各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體的高精度各向異性蝕刻。此外，ø230mm的托盤可同時(shí)處理多種化合物半導(dǎo)體。
更新時(shí)間:2024-06-25
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
rie-230ip是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型icp蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用獨(dú)特的龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進(jìn)行高精度的各向異性蝕刻。此外，ø230mm的托盤可同時(shí)處理多種化合物半導(dǎo)體。
更新時(shí)間:2024-06-25
RIE等離子刻蝕設(shè)備
rie-10nr是一種新型的低成本、高性能的全自動反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，它能滿足非腐蝕性氣體化學(xué)苛刻的工藝要求。計(jì)算機(jī)化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個(gè)用戶友好的界面。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料間的高蝕刻選擇性。rie-10nr具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2024-06-25
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-06-25
RIE等離子刻蝕系統(tǒng)
rie-200nl是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，它提高了工藝的可重復(fù)性，并允許腐蝕性氣體化學(xué)。完全優(yōu)化的工藝室設(shè)計(jì)可在ø8 "晶圓或ø220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。rie-200nl設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2024-06-25
深硅刻蝕設(shè)備
samco 的 rie-800ipb 是一種高性能的電感耦合等離子體 (icp) 蝕刻系統(tǒng)，使用高密度等離子體進(jìn)行 mems 和 tsv 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。rie-800ipb是為bosch工藝設(shè)計(jì)的用硅蝕刻系統(tǒng)（由robert bosch gmbh授權(quán)）。
更新時(shí)間:2024-06-25
深硅刻蝕設(shè)備
rie-400ipb是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世m(xù)ems和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。rie-800ipb是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由robert bosch gmbh（德國）授權(quán)，能夠?qū)ems和tsv所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。
更新時(shí)間:2024-06-25
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2024-06-25
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
rie-350ipc是一種盒式裝載電感耦合等離子體(icp)蝕刻設(shè)備，可處理多達(dá)ø350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固可靠的硬件和卓越的工藝控制，具有較高的生產(chǎn)率，如功率器件、微型led、vcsel、ld、電容器和射頻濾波器。
更新時(shí)間:2024-06-25
RIE等離子刻蝕設(shè)備
rie-200c是在擁有豐富交貨業(yè)績的ccp rie系統(tǒng) "rie-10nr "的基礎(chǔ)上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對si、poly-si、sio₂、sin等各種硅薄膜進(jìn)行高精度蝕刻和灰化。采用雙盒雙臂機(jī)械手，plc控制全自動操作，高性能存儲工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2024-06-25
RIE等離子刻蝕設(shè)備
rie-300nr是一種理想的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3"×12，ø4"×8等），具有優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)旨在大限度地減少工廠空間需求，提高產(chǎn)量，大限度地延長正常運(yùn)行時(shí)間，并通過可靠的硬件和便捷的服務(wù)降低擁有成本。
更新時(shí)間:2024-06-25
緊湊型刻蝕機(jī)
rie-1c是用于半導(dǎo)體芯片故障分析的小型臺式干式蝕刻系統(tǒng)？梢愿咝、低損傷地去除鈍化膜。它操作簡單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個(gè)過程？梢苑旁谧烂嫔，也可以選擇用支架。
更新時(shí)間:2024-06-25
高密度 刻蝕機(jī)
gde c200系列 高密度刻蝕機(jī)等離子體源和頻率設(shè)計(jì)，等離子體密度高，適用于強(qiáng)鍵合材料刻蝕
更新時(shí)間:2024-06-21
刻蝕機(jī)終端檢測設(shè)備
刻蝕機(jī)終端檢測設(shè)備基本原理：通過特定波長譜線的強(qiáng)度變化來反映是否達(dá)到刻蝕終點(diǎn)。
更新時(shí)間:2024-06-04
RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
更新時(shí)間:2024-06-04
FEP燒杯本底值實(shí)驗(yàn)室250ml燒杯透明可視易清洗
fep燒杯，也稱聚全氟乙丙烯燒杯：非凡的化學(xué)耐受性，幾乎可耐受所有的化學(xué)溶劑。適合于保存化學(xué)品和樣本,或一般的高溫高壓滅菌用途。具有翻邊設(shè)計(jì)，便與夾持和移動，有散發(fā)熱量和增加機(jī)械強(qiáng)度的作用，邊沿有嘴，便于傾倒液體。燒杯是一種常見的實(shí)驗(yàn)室玻璃器皿，通常由玻璃、塑料或者耐熱玻璃制成。燒杯呈圓柱形，頂部的一側(cè)開有一個(gè)槽口，便于傾倒液體。
更新時(shí)間:2023-11-15

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