探測器產(chǎn)品及廠家
美國weber-captor公司生產(chǎn)的熱金屬檢測器是鋼 業(yè)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。它先進(jìn)的紅外線技術(shù)和設(shè)計(jì)理念順應(yīng)了鋼鐵制造，熱處理及玻璃制造業(yè)中復(fù)雜的工業(yè)系統(tǒng)要求。憑借了25年多的經(jīng)驗(yàn)，weber熱金屬檢測器能在嚴(yán)酷的環(huán)境中保證高精度，高穩(wěn)定，長壽命以及高可靠性，并且不用維修，可以滿足艱苦，高負(fù)荷的工業(yè)生產(chǎn)要求。上海祥樹歐茂機(jī)電設(shè)備有限公司為weber中國授權(quán)代理。
更新時(shí)間:2024-12-19
sei monitor 1000ec是一種能量補(bǔ)償輻射探測器，測量伽馬和x射線。非常適合大多數(shù)需要能量補(bǔ)償探測器的應(yīng)用。用戶可以從cpm，cps，µsv / hr，mr / hr或累積計(jì)數(shù)的讀數(shù)中進(jìn)行選擇。它有一個(gè)紅色的計(jì)數(shù)指示燈，在檢測到每個(gè)計(jì)數(shù)時(shí)都會(huì)發(fā)出蜂鳴聲，并包括一個(gè)可調(diào)計(jì)時(shí)器和可選警報(bào)。
更新時(shí)間:2024-12-18
lnd 7317輻射儀傳感器一般特性說明：大長度 (inch/mm) 3.00/76.1大直徑(inch/mm) 2.11/53.6填充氣體ne +halogen陰材料 (internal/external) stainless steel有效直徑 (inch/mm) 1.75/44.5接口 grid cap工作溫度范圍°c -40 to +75有效深度
更新時(shí)間:2024-12-18
se international monitor 4和4ec是手持輻射探測器，可檢測有害的阿爾法、貝塔、伽瑪和x射線輻射。這些蓋革計(jì)數(shù)器用于檢測粒子加速器、x射線屏蔽和工業(yè)儀表的輻射水平。兩個(gè)探測器都有三個(gè)工作電平(x1、x10和x100)，可以在儀表達(dá)到高磁阻電平時(shí)進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)設(shè)備檢測到電離輻射事件時(shí)，會(huì)發(fā)出紅光和嗶嗶聲。
更新時(shí)間:2024-12-18
美國soeks quantum業(yè)輻射探測器，quantum輻射檢測儀是一款積累、存儲(chǔ)、報(bào)警和顯示的輻射累積劑量的輻射檢測儀。quantum是高度可靠的個(gè)人輻射劑量和輻射探測器精確劑量和劑量率測量的儀器。該儀器能夠連續(xù)運(yùn)行長達(dá)700小時(shí)，監(jiān)測輻射環(huán)境和存儲(chǔ)累積劑量長達(dá)999天。易于使用的設(shè)備具有輻射劑量和劑量率閾值，每當(dāng)閾值觸發(fā)，將產(chǎn)生音頻、可視和文本報(bào)警消息。
更新時(shí)間:2024-12-18
quant gr1伽馬探測器,kromek quant gr1伽瑪探測儀適用于凸起背景的高分辨率伽瑪探測器quant gr1是用于移動(dòng)實(shí)驗(yàn)室放射性核素分析的伽馬探測器解決方案。它用于測量過濾器，濾紙，樣品燒杯中放射性核素的活性。它帶有經(jīng)過優(yōu)化和集成的鉛/銅屏蔽，可在標(biāo)準(zhǔn)和凸起背景下運(yùn)行。
更新時(shí)間:2024-12-18
fluke 451巡檢儀,451p輻射巡檢儀是用于測量診斷x射線和放射治療套件周圍的泄漏和散射，它的輻射測量測量功能使其非常適合廣泛的終用戶，包括x射線制造商，政府機(jī)構(gòu)，國家檢查員，生物醫(yī)學(xué)技術(shù)人員以及機(jī)場行李掃描儀的維護(hù)技術(shù)人員。
更新時(shí)間:2024-12-18
英國kromek identifier液體探測器,kromek identifier易燃易爆液體安檢儀可以檢測液體或其體的瓶式掃描儀,快速準(zhǔn)確地檢測液體,液體很容易通過，因?yàn)樗菬o害的。kromek液體標(biāo)識符可以輕松篩選任何液體，同時(shí)保持包裝和瓶子完好無損并密封。
更新時(shí)間:2024-12-18
英國kromek raymon10伽馬射線探測器，raymon10同位素探測器用于在現(xiàn)場或?qū)嶒?yàn)室使用中搜索和識別核同位素的手持設(shè)備
更新時(shí)間:2024-12-18
響應(yīng)波長范圍 1-12μm；佳波長 10.6μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥9×10^6 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2024-12-17
響應(yīng)波長范圍 2-12μm; 佳波長 10.6μm; 相對響應(yīng)強(qiáng)度≥1×10^8cm×hz^(1/2)/w@10.6μm; 光敏面大小 2mm×2mm
更新時(shí)間:2024-12-17
響應(yīng)波長范圍3-12μm；佳波長10.6μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥1×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2 （超半浸微透鏡）
更新時(shí)間:2024-12-17
mct探測器；響應(yīng)波長范圍 2.0-15μm ；峰值波長 10.6μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度 0.23a/w；光敏面大小 2x2mm ；光學(xué)窗口 wznse ar
更新時(shí)間:2024-12-17
工作波長：3-5um 帶寬：＞1.8mhz 感光區(qū)域 ao (ref and sig), mm×mm ：1×1 窗口 (ref and sig)：wal2o3 接收角 φ (ref and sig)：~36°
更新時(shí)間:2024-12-17
響應(yīng)波長范圍2-12μm；佳波長10.6μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥6×10^8 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2024-12-17
響應(yīng)波長范圍2-12μm；佳波長10.6μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥4×10^7 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積1×1mm^2
更新時(shí)間:2024-12-17
響應(yīng)波長范圍 1-12μm；佳波長 10.6μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥9*10^6cm*hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面大小 1x1mm
更新時(shí)間:2024-12-17
響應(yīng)波長范圍 2-12μm；佳波長 3μm；相對響應(yīng)強(qiáng)度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時(shí)間:2024-12-17
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴(kuò)展到2600nm,5mhz) 峰值響應(yīng)0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2024-12-17
波長: 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時(shí)間:2024-12-17
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個(gè)顯示器輸出(未校準(zhǔn)) 波長范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2024-12-17
工作波長 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應(yīng)度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時(shí)間:2024-12-17
光譜響應(yīng)范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應(yīng)度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2024-12-17
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2024-12-17
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規(guī)格 to-5
更新時(shí)間:2024-12-17
光敏面直徑 16mm；直流響應(yīng)度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2024-12-17
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時(shí)間:2024-12-17
6mm光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2024-12-17
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