探測器產(chǎn)品及廠家
美國weber-captor公司生產(chǎn)的熱金屬檢測器是鋼 業(yè)應用的主流產(chǎn)品。它先進的紅外線技術(shù)和設(shè)計理念順應了鋼鐵制造，熱處理及玻璃制造業(yè)中復雜的工業(yè)系統(tǒng)要求。憑借了25年多的經(jīng)驗，weber熱金屬檢測器能在嚴酷的環(huán)境中保證高精度，高穩(wěn)定，長壽命以及高可靠性，并且不用維修，可以滿足艱苦，高負荷的工業(yè)生產(chǎn)要求。上海祥樹歐茂機電設(shè)備有限公司為weber中國授權(quán)代理。
更新時間:2024-12-19
sei monitor 1000ec是一種能量補償輻射探測器，測量伽馬和x射線。非常適合大多數(shù)需要能量補償探測器的應用。用戶可以從cpm，cps，µsv / hr，mr / hr或累積計數(shù)的讀數(shù)中進行選擇。它有一個紅色的計數(shù)指示燈，在檢測到每個計數(shù)時都會發(fā)出蜂鳴聲，并包括一個可調(diào)計時器和可選警報。
更新時間:2024-12-18
lnd 7317輻射儀傳感器一般特性說明：大長度 (inch/mm) 3.00/76.1大直徑(inch/mm) 2.11/53.6填充氣體ne +halogen陰材料 (internal/external) stainless steel有效直徑 (inch/mm) 1.75/44.5接口 grid cap工作溫度范圍°c -40 to +75有效深度
更新時間:2024-12-18
se international monitor 4和4ec是手持輻射探測器，可檢測有害的阿爾法、貝塔、伽瑪和x射線輻射。這些蓋革計數(shù)器用于檢測粒子加速器、x射線屏蔽和工業(yè)儀表的輻射水平。兩個探測器都有三個工作電平(x1、x10和x100)，可以在儀表達到高磁阻電平時進行調(diào)節(jié)。當設(shè)備檢測到電離輻射事件時，會發(fā)出紅光和嗶嗶聲。
更新時間:2024-12-18
美國soeks quantum業(yè)輻射探測器，quantum輻射檢測儀是一款積累、存儲、報警和顯示的輻射累積劑量的輻射檢測儀。quantum是高度可靠的個人輻射劑量和輻射探測器精確劑量和劑量率測量的儀器。該儀器能夠連續(xù)運行長達700小時，監(jiān)測輻射環(huán)境和存儲累積劑量長達999天。易于使用的設(shè)備具有輻射劑量和劑量率閾值，每當閾值觸發(fā)，將產(chǎn)生音頻、可視和文本報警消息。
更新時間:2024-12-18
quant gr1伽馬探測器,kromek quant gr1伽瑪探測儀適用于凸起背景的高分辨率伽瑪探測器quant gr1是用于移動實驗室放射性核素分析的伽馬探測器解決方案。它用于測量過濾器，濾紙，樣品燒杯中放射性核素的活性。它帶有經(jīng)過優(yōu)化和集成的鉛/銅屏蔽，可在標準和凸起背景下運行。
更新時間:2024-12-18
fluke 451巡檢儀,451p輻射巡檢儀是用于測量診斷x射線和放射治療套件周圍的泄漏和散射，它的輻射測量測量功能使其非常適合廣泛的終用戶，包括x射線制造商，政府機構(gòu)，國家檢查員，生物醫(yī)學技術(shù)人員以及機場行李掃描儀的維護技術(shù)人員。
更新時間:2024-12-18
英國kromek identifier液體探測器,kromek identifier易燃易爆液體安檢儀可以檢測液體或其體的瓶式掃描儀,快速準確地檢測液體,液體很容易通過，因為它是無害的。kromek液體標識符可以輕松篩選任何液體，同時保持包裝和瓶子完好無損并密封。
更新時間:2024-12-18
英國kromek raymon10伽馬射線探測器，raymon10同位素探測器用于在現(xiàn)場或?qū)嶒炇沂褂弥兴阉骱妥R別核同位素的手持設(shè)備
更新時間:2024-12-18
響應波長范圍 1-12μm；佳波長 10.6μm；相對響應強度≥9×10^6 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2024-12-17
響應波長范圍 2-12μm; 佳波長 10.6μm; 相對響應強度≥1×10^8cm×hz^(1/2)/w@10.6μm; 光敏面大小 2mm×2mm
更新時間:2024-12-17
響應波長范圍3-12μm；佳波長10.6μm；相對響應強度≥1×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2 （超半浸微透鏡）
更新時間:2024-12-17
mct探測器；響應波長范圍 2.0-15μm ；峰值波長 10.6μm；相對響應強度 0.23a/w；光敏面大小 2x2mm ；光學窗口 wznse ar
更新時間:2024-12-17
工作波長：3-5um 帶寬：＞1.8mhz 感光區(qū)域 ao (ref and sig), mm×mm ：1×1 窗口 (ref and sig)：wal2o3 接收角 φ (ref and sig)：~36°
更新時間:2024-12-17
響應波長范圍2-12μm；佳波長10.6μm；相對響應強度≥6×10^8 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2024-12-17
響應波長范圍2-12μm；佳波長10.6μm；相對響應強度≥4×10^7 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積1×1mm^2
更新時間:2024-12-17
響應波長范圍 1-12μm；佳波長 10.6μm；相對響應強度≥9*10^6cm*hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面大小 1x1mm
更新時間:2024-12-17
響應波長范圍 2-12μm；佳波長 3μm；相對響應強度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時間:2024-12-17
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴展到2600nm,5mhz) 峰值響應0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2024-12-17
波長: 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測器響應度 0.95@1550nm aw
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時間:2024-12-17
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個顯示器輸出(未校準) 波長范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2024-12-17
工作波長 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時間:2024-12-17
光譜響應范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2024-12-17
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時間:2024-12-17
探測器類型 ingaas；光譜相應 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2024-12-17
光譜響應范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規(guī)格 to-5
更新時間:2024-12-17
光敏面直徑 16mm；直流響應度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時間:2024-12-17
8mm光敏面直徑，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜25ns，to8封裝
更新時間:2024-12-17
4mm光敏面，法蘭式結(jié)構(gòu)，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，to8封裝
更新時間:2024-12-17
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu)，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns
更新時間:2024-12-17
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時間:2024-12-17
2mm直徑光敏面，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜8ns，to5封裝
更新時間:2024-12-17
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時間:2024-12-17
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測器型號: si硅 探測器響應度 0.55@850nm
更新時間:2024-12-17
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